聚合氯化鋁可以在一定程度上去除水中的硅，以下是其原理及相關(guān)影響因素等內(nèi)容：

去除原理

絮凝沉淀作用：聚合氯化鋁在水中水解會生成一系列多核羥基絡(luò)合物和氫氧化鋁膠體。這些膠體具有較大的比表面積和吸附能力，能夠通過吸附、架橋和網(wǎng)捕等作用，使水中的硅溶膠等含硅物質(zhì)凝聚成較大的絮體。硅元素在水中常以硅酸或硅酸鹽的形式存在，部分硅酸或硅酸鹽顆?？杀粴溲趸X膠體吸附，形成的絮體在重力作用下沉淀，從而實現(xiàn)硅的去除。

電荷中和作用：水中的含硅顆粒帶有一定的電荷，聚合氯化鋁水解產(chǎn)生的帶正電荷的離子和膠體粒子，能夠與帶負(fù)電荷的含硅顆粒發(fā)生電荷中和反應(yīng)。使含硅顆粒的表面電荷降低，顆粒之間的靜電斥力減小，從而更容易相互碰撞聚集，形成較大的顆粒而沉淀或被過濾去除。

影響去除效果的因素

pH 值：pH 值對聚合氯化鋁去除硅的效果有顯著影響。一般在 pH 值為 6-8 的范圍內(nèi)，聚合氯化鋁的水解產(chǎn)物形態(tài)和電荷特性較為適宜，對硅的去除效果較好。當(dāng) pH 值過低時，聚合氯化鋁的水解反應(yīng)不完全，生成的膠體數(shù)量和活性較低；當(dāng) pH 值過高時，氫氧化鋁膠體會溶解，不利于對硅的吸附和絮凝。

投加量：在一定范圍內(nèi)，隨著聚合氯化鋁投加量的增加，硅的去除效果會提高。因為更多的聚合氯化鋁水解后會產(chǎn)生更多的膠體和活性位點，能吸附和去除更多的硅。但投加量過大時，會導(dǎo)致水體中離子濃度過高，產(chǎn)生膠體再穩(wěn)現(xiàn)象，使已經(jīng)凝聚的硅顆粒重新分散，反而降低去除效果。

水溫：水溫會影響聚合氯化鋁的水解速度和膠體的性質(zhì)。一般水溫在 20-30℃時，聚合氯化鋁的水解和絮凝效果較好。水溫過低時，水解反應(yīng)速度緩慢，生成的膠體活性較低，不利于硅的去除；水溫過高時，會使膠體的穩(wěn)定性降低，影響絮凝效果。

硅的形態(tài)和濃度：水中硅的存在形態(tài)多樣，如活性硅、膠體硅、難溶性硅化合物等。不同形態(tài)的硅對聚合氯化鋁的去除效果有影響，一般活性硅較容易被去除，而難溶性硅化合物去除難度較大。此外，硅的初始濃度越高，完全去除的難度也越大，需要增加聚合氯化鋁的投加量或采用其他輔助方法來提高去除效果。